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SI7898DP-T1-E3中文资料

SI7898DP-T1-E3图片

SI7898DP-T1-E3外观图

  • 大小:82.7KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: N CHANNEL MOSFET, 150V, 4.8A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.8A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):95mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:85 毫欧 @ 3.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:21nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:1.9W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI7898DP-T1-E3TR

SI7898DP-T1-E3供应商

更新时间:2023-02-11 02:33:27
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